[发明专利]半导体制备方法在审
| 申请号： | 201811060771.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109148363A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 崔晓彤;金子贵昭;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体制备方法，包括如下步骤：步骤S1：提供具有介电层的衬底，在介电层上形成开口；步骤S2：在介电层上沉积第一金属膜层，第一金属膜层的金属填满开口；步骤S3：在第一金属膜层上沉积第二金属膜层，该第二金属膜层的材料的吉布斯自由能变，低于第一金属膜层的材料的吉布斯自由能变；步骤S4：进行退火处理；步骤S5：去除第二金属膜层以及介电层上的第一金属膜层。在退火工艺中，氧离子优先朝向第二金属膜层运动，氧离子与第二金属膜层发生反应并保留在第二金属膜层，在后续将第二金属膜层去除时，一并将氧离子去除，提高金属互联结构的导电性，有利于增强所形成半导体器件的稳定性、可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属膜层 介电层 氧离子 去除 吉布斯自由能 半导体制备 沉积 开口 半导体技术领域 金属互联结构 半导体器件 导电性 金属填满 退火处理 退火工艺 衬底 保留 | ||
【主权项】：
1.一种半导体制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供在其上方形成有介电层的衬底，在介电层上形成开口；步骤S2：形成第一金属膜层，该第一金属膜层覆盖所述介电层并填充所述开口；步骤S3：在第一金属膜层表面沉积第二金属膜层，且在同样氧化条件下，构成该第二金属膜层的材料的吉布斯自由能变低于构成第一金属膜层的材料的吉布斯自由能变；步骤S4：进行退火处理；步骤S5：去除第二金属膜层以及介电层表面的第一金属膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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