[发明专利]一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用有效
| 申请号： | 201811040575.0 | 申请日： | 2018-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN109369845B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 邓云祥;袁敏民 | 申请（专利权）人： | 珠海雅天科技有限公司 |
| 主分类号： | C08F220/28 | 分类号： | C08F220/28;C08F220/18;C08F212/14;G03F7/039;G03F7/004 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 俞梁清 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂及其应用，所述树脂包括含有脂环烷烃的丙烯酸酯类化合物、含有脂环烷烃的甲基丙烯酸酯类化合物、含内酯结构的丙烯酸酯类化合物和/或含有内酯结构的甲基丙烯酸酯类化合物结构单元的树脂，还可以包括含有苯乙烯或苯乙烯的衍生物结构单元的树脂。与现有技术相比，该ArF光刻胶树脂制得的光刻胶DOF宽、分辨率高，能更好的适应于90nm以下光刻工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 焦深 dof 大于 等于 300 nm 半导体 arf 光刻 树脂 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种焦深DOF大于或等于300nm的半导体ArF光刻胶树脂，其特征在于：由所述树脂制得的ArF光刻胶的90nm线条/间距图形的焦深DOF大于或等于300纳米。
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