[发明专利]一种3D立方体框架结构三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法在审
| 申请号： | 201811007611.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109179488A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王秀宇;夏梦真;朱宣同;李亨;傅惠;丁伯楠;刘颜鹏 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 程小艳 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开一种3D立方体框架结构三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法，主要步骤为首先制成0.2M SnCl4无水乙醇溶液和0.1M Zn(NO3)2水溶液；然后在上述水溶液中加入六甲基四胺C6H12N4，磁力搅拌，制成Zn(NO3)2‑C6H12N4水溶液，其中C6H12N4在水溶液中的质量百分比为4.6％；称取NaOH溶于去离子水，配成0.5M NaOH水溶液，用作沉淀剂；在搅拌条件下将NaOH溶液逐滴加入，使溶液的PH值约为10～11，此后继续搅拌20min；然后在120℃条件下反应10h，得到前驱体ZnSn(OH)6沉淀物；自然冷却后收集的沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇清洗，然后在室温下干燥，得到前驱体ZnSn(OH)6粉末；最后在500℃下高温热处理2h，得到纳米级3D立方体框架结构的ZnSnO3粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 立方体框架结构 三元金属氧化物 去离子水 偏锡酸 前驱体 制备 半导体 无水乙醇清洗 无水乙醇溶液 高温热处理 六甲基四胺 质量百分比 磁力搅拌 搅拌条件 沉淀剂 纳米级 称取 | ||
【主权项】：
1.一种3D立方体框架结构三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)称取SnCl4·5H2O溶于无水乙醇，采用磁力搅拌，制成0.2M SnCl4无水乙醇溶液；2)称取Zn(NO3)2·6H2O溶于去离子水，采用磁力搅拌，制成0.1M Zn(NO3)2水溶液；然后在上述水溶液中加入六甲基四胺C6H12N4，磁力搅拌，制成Zn(NO3)2‑C6H12N4水溶液，其中C6H12N4在水溶液中的质量百分比为4.6％；3)称取NaOH溶于去离子水，配成0.5M NaOH水溶液，用作沉淀剂；4)磁力搅拌条件下将步骤1)中溶液加入步骤2)中，并搅拌15min，其中Sn4+与Zn2+的摩尔比为1:1；然后在搅拌条件下将3)中NaOH溶液逐滴加入步骤1)和步骤2)的混合溶液中，使溶液的PH值约为10～11，此后继续搅拌20min；5)将步骤4)所得溶液转移到高压反应釜中，然后在120℃条件下反应10h，得到前驱体ZnSn(OH)6沉淀物；6)自然冷却后收集步骤5)中的沉淀物，分别用去离子水和无水乙醇清洗，然后在室温下干燥，得到前驱体ZnSn(OH)6粉末；7)将步骤6)中的ZnSn(OH)6粉末在500℃下高温热处理2h，得到纳米级3D立方体框架结构的ZnSnO3粉末。
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