[发明专利]一种压电晶片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810943233.3 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN109273586A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 枋明辉;林彦甫;杨胜裕 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/04 | 分类号： | H01L41/04;H01L41/337 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362411 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压电晶片及其制作方法，提供了超薄压电晶片的减薄方法，压电晶片包括压电材料和至少被压电材料部分包裹的抗磨材料，抗磨材料硬度大于压电材料，抗磨材料做为晶片的移除截止部，利用移除截止部制作出来的压电晶片有更均匀厚度，且操作控制更加简便。 | ||
| 搜索关键词： | 压电晶片 抗磨材料 压电材料 截止部 移除 制作 减薄 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种压电晶片，其特征在于，包括压电材料和至少被压电材料部分包裹的抗磨材料，压电材料由压电晶体材料构成，抗磨材料硬度大于压电材料，抗磨材料做为晶片的移除截止部。
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