[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201810837809.8 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN109003941B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 杜建华;王鑫;强朝辉;高宇鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,涉及显示技术领域,利用导电层焦耳热诱导非晶硅转化为多晶硅,不需要ELA设备,可降低成本、简化工艺。该制备方法包括:提供衬底基板;衬底基板的表面包括至少一个预设区域;在表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层,在表面上的正投影均覆盖预设区域;对非晶硅层进行构图工艺处理,形成位于预设区域内的多个非晶硅图案;在导电层上施加电压,通过使导电层发热诱导多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案;或者,在导电层上施加电压,通过使导电层发热诱导非晶硅层位于预设区域内的部分转化为多晶硅层;对多晶硅层进行构图工艺处理,形成位于预设区域内的多个多晶硅图案。 | ||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供衬底基板;所述衬底基板的表面包括至少一个预设区域;在所述表面上方依次形成导电层、隔离层和非晶硅层;其中,所述导电层、所述隔离层和所述非晶硅层在所述表面上的正投影均覆盖所述预设区域;对所述非晶硅层进行构图工艺处理,形成位于所述预设区域内的多个非晶硅图案;在所述导电层上施加电压,通过使所述导电层发热诱导所述多个非晶硅图案结晶转化为多个多晶硅图案;或者,在所述导电层上施加电压,通过使所述导电层发热诱导所述非晶硅层位于所述预设区域内的部分转化为多晶硅层;对所述多晶硅层进行构图工艺处理,形成位于所述预设区域内的多个多晶硅图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造