[发明专利]外延片的制备方法有效
申请号: | 201810835104.2 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN110767531B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 王华杰;曹共柏;林志鑫 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种外延片的制备方法,包括:1)第一衬底上生长外延层;2)测量外延层的第一实际厚度,获得外延模拟厚度;3)对第二衬底抛光处理,测量其实际厚度,获得衬底模拟厚度;4)将外延模拟厚度与衬底模拟厚度叠加获得模拟叠加厚度,进行平坦度参数计算,获得平坦度预测参数;5)判定所述平坦度预测参数是否合格;6)若合格,则进行实际外延生长,若不合格,则返工处理。本发明通过模拟方式直接预测衬底外延后平坦度的优劣,并选择模拟合格的外延片进行实际外延,不合格的外延片则可直接返工处理,从而可以对外延片衬底进行筛选,提高外延片平坦度性能与良率,同时可节省外延使用机时、减少晶片消耗以及外延设备损耗。 | ||
搜索关键词: | 外延 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种外延片的制备方法,其特征在于,所述方法包括:/n1)提供第一衬底,在预设参数条件下,于所述第一衬底上生长外延层;/n2)测量所述外延层的第一实际厚度,并对所述外延层进行模拟以获得所述外延层外延模拟厚度;/n3)提供第二衬底,对所述第二衬底进行抛光处理,在抛光处理后测量所述第二衬底的第二实际厚度,并对所述第二衬底进行模拟以获得所述第二衬底的衬底模拟厚度;/n4)将所述外延模拟厚度与所述衬底模拟厚度进行叠加以获得模拟叠加厚度,对所述模拟叠加厚度进行平坦度参数计算,获得在所述预设参数条件下生长的外延层的平坦度预测参数;/n5)判定所述平坦度预测参数是否合格;/n6)若合格,则在所述预设参数条件下,于所述第二衬底上进行实际外延生长,若不合格,则返回重新进行步骤3)~步骤5),以使得所有的所述第二衬底的平坦度预测参数判定为合格并进行实际外延生长。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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