[发明专利]一种轨道交通芯片封装用氮化铝陶瓷基板的黑边清洗方法在审
| 申请号： | 201810768911.7 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065458A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 陆聪;王晓刚;郑彬 | 申请（专利权）人： | 无锡天杨电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/15 |
| 代理公司： | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人： | 明志会 |
| 地址： | 214154 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明轨道交通芯片封装用氮化铝陶瓷基板的黑边清洗方法，将氮化铝陶瓷基板放入40℃‑70℃纯水中超声水洗1‑3min；将水洗后的氮化铝陶瓷基板放入清洗液中，继续超声1‑3h，溶液温度为40℃‑60℃；将清洗过后的氮化铝陶瓷基板放入5‑10%浓度的碳酸钠溶液中超声漂洗1‑3min后，用清水冲洗1‑2min；将氮化铝陶瓷基板放入丙酮、醋酸丁酯和酒精的一种或几种的溶液中超声10‑30min，超声完毕后，拿出，50℃低温烘干。本发明能够有效清洗氮化铝陶瓷基板因激光而产生的黑边，并不损伤氮化铝陶瓷基板表面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝陶瓷基板 放入 清洗 超声 黑边 轨道交通 芯片封装 碳酸钠溶液 超声漂洗 超声水洗 醋酸丁酯 低温烘干 清水冲洗 清洗液 丙酮 水中 酒精 激光 损伤 | ||
【主权项】：
1.一种轨道交通芯片封装用氮化铝陶瓷基板的黑边清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）、将氮化铝陶瓷基板放入40℃‑70℃纯水中超声水洗1‑3min；（2）、将水洗后的氮化铝陶瓷基板放入清洗液中，继续超声1‑3h，溶液温度为40℃‑60℃；（3）、将清洗过后的氮化铝陶瓷基板放入5‑10%浓度的碳酸钠溶液中超声漂洗1‑3min后，用清水冲洗1‑2min；（4）、将氮化铝陶瓷基板放入丙酮、醋酸丁酯和酒精的一种或几种的溶液中超声10‑30min，超声完毕后，拿出，50℃低温烘干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡天杨电子有限公司，未经无锡天杨电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810768911.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种石墨烯导热膜用于功率模块散热的方法
- 下一篇：焊盘的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
