[发明专利]制造结晶硅的系统及制造结晶硅的方法在审
| 申请号： | 201810744276.9 | 申请日： | 2018-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110550633A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 姚明华;萧旭文 | 申请（专利权）人： | 宝德能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 康艳青;姚开丽 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造结晶硅的系统及方法。所述系统包括第一结晶硅产线及第二结晶硅产线。第一结晶硅产线包括第一三氯硅烷汽化单元以及第一化学气相沉积反应单元，以制造第一结晶硅。第二结晶硅产线包括第二三氯硅烷汽化单元以及第二化学气相沉积反应单元，以制造第二结晶硅。第一三氯硅烷汽化单元与第二三氯硅烷汽化单元彼此独立。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶硅 汽化单元 三氯硅烷 产线 化学气相沉积 反应单元 制造 彼此独立 | ||
【主权项】：
1.一种制造结晶硅的系统，包括：/n第一结晶硅产线，其中所述第一结晶硅产线包括：/n第一三氯硅烷汽化单元，提供第一三氯硅烷原料；以及/n第一化学气相沉积反应单元，配置于所述第一三氯硅烷汽化单元的后，以使所述第一三氯硅烷原料进行反应而制造第一结晶硅；以及/n第二结晶硅产线，其中所述第二结晶硅产线包括：/n第二三氯硅烷汽化单元，配置于所述第一化学气相沉积反应单元的后，以提供第二三氯硅烷原料，其中所述第一三氯硅烷汽化单元与所述第二三氯硅烷汽化单元彼此独立；以及/n第二化学气相沉积反应单元，配置于所述第二三氯硅烷汽化单元的后，以使所述第二三氯硅烷原料进行反应而制造第二结晶硅。/n
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