[发明专利]通过硅弯桥互连进行耦合的交叉连接的多芯片模块及其组装方法在审
| 申请号： | 201810698103.8 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN109216340A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | G.赛德曼;B.魏德哈斯;T.瓦格纳;A.沃尔特;L.米劳 | 申请（专利权）人： | 英特尔IP公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐红燕;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过硅弯桥互连进行耦合的交叉连接的多芯片模块及其组装方法。一种多芯片模块包括两个硅桥互连和通过桥连在一起的三个组件，其中这些组件中的一个在中央。弯曲硅桥互连中的至少一个以产生非平面芯片模块形状因子。交叉连接的多芯片硅弯桥互连模块包括彼此呈直角的、接触中央组件的两个硅桥，加上第四组件以及接触第四组件和最初三个组件中的任何一个的第三硅桥互连。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 硅桥 多芯片模块 交叉连接 耦合的 组装 互连模块 芯片模块 形状因子 中央组件 多芯片 非平面 桥连 | ||
【主权项】：
1.一种多芯片模块，包括：中央组件；第一组件，其中所述第一组件通过第一硅弯桥互连耦合到所述中央组件；以及后续组件，其中所述后续组件通过后续硅桥互连耦合到所述中央组件。
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