[发明专利]一种二维磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201810654001.6 申请日: 2018-06-22
公开(公告)号: CN108717169B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 钱正洪;白茹 申请(专利权)人: 钱正洪;白茹
主分类号: G01R33/04 分类号: G01R33/04
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 朱月芬
地址: 美国明尼苏达州伊登*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及一种二维磁场传感器。本发明包括磁通引导器。磁通引导器设置在衬底上,磁通引导器外部框架为环形或半环形结构,根据对称轴将磁通引导器分为两个或四个区域;每个区域均开有磁敏电阻放置间隙。每个区域设置有一对磁敏电阻,磁敏电阻均设置在衬底上,一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖,另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内。对角两个区域的两对磁敏电阻分别连成两组惠斯通电桥结构。本发明为单芯集成,可集成度高。利用磁通引导器间隙中的磁敏电阻以及被磁通引导器覆盖的磁敏电阻构成两组惠斯通电桥结构形成差分输出,相对比以往的二维磁场传感器具有更高的精度、抗干扰能力强、更易于小型化、集成化,同时双电桥可有效的抑制温漂。
搜索关键词: 一种 二维 磁场 传感器
【主权项】:
1.一种二维磁场传感器,包括磁通引导器;其特征在于:所述的磁通引导器设置在衬底上,磁通引导器外部框架为方环形或圆环形结构,两条对角线或两条垂直的对称轴将磁通引导器分为四个区域;每个区域均开有磁敏电阻放置间隙;每个区域设置有一对磁敏电阻,磁敏电阻均设置在衬底上,一个磁敏电阻被磁通引导器覆盖,另一磁敏电阻设置在磁敏电阻放置间隙内;对角两个区域的两对磁敏电阻分别连成两组惠斯通电桥结构。
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  • 何森;吴晶莹;董建会;曹美珍 - 中北大学
  • 2022-05-17 - 2022-09-16 - G01R33/04
  • 一种相移型磁通门实验仪,目的是便于调节和匹配,不易受温度变化影响;本发明包括矩形波发生器和多级数字二分频电路、电压跟随器、反向积分器、交流压控恒流源、磁通门探头、信号放大器、相位差识别电路、脉宽测量电路、数显电路和磁通门标定装置;矩形波发生器和多级数字二分频电路由CD4060BCM和晶振组成,用精密基准电源为它们提供±双电源供电,使其输出的矩形波频率准确,其正负矩形脉冲的宽度相等、幅值相等,波形稳定对称;反向积分器用开环增益高失调小的运放组成,将上述矩形波转换成其沿的线性度极好的三角波;交流压控恒流源将上述三角波电压转换成三角波恒流给磁通门探头励磁,使探头磁芯内H(t)波形为稳定对称三角波。
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