[发明专利]磁存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810586433.8 | 申请日： | 2018-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037433B | 公开（公告）日： | 2023-06-16 |
| 发明（设计）人： | 宋胤宗;李吉镐;郑大恩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10N50/10 | 分类号： | H10N50/10;H10N50/80;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在磁隧道结图案上。底电极包括第一底电极和在第一底电极上的第二底电极。第一底电极和第二底电极中的每个包括金属氮化物。第一底电极具有比第二底电极的结晶度高的结晶度。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储器件，包括：底电极，在衬底上；磁隧道结图案，包括顺序地堆叠在所述底电极上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及顶电极，在所述磁隧道结图案上，其中所述底电极包括第一底电极和在所述第一底电极上的第二底电极，其中所述第一底电极和所述第二底电极中的每个包括金属氮化物，其中所述第一底电极具有比所述第二底电极的结晶度高的结晶度。
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