[发明专利]一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法有效
申请号: | 201810569850.1 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108807145B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 辛颢;江晶晶;吴三平;闫伟博;余绍棠 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;H01L31/0392 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 张婷婷 |
地址: | 210000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,预先合成铜与铟或镓的硫脲配合物,以此为原料配置前驱体溶液,用该前驱体溶液来制备CIS及CIGS薄膜太阳能电池的吸光层;通过寻找合适的铜、铟和镓的化合物作为前驱体制备前驱体溶液,以期制备大面积均匀稳定的CIS、CIGS太阳能电池吸光材料。本发明方法对原料的纯度要求较低,铜硫脲配合物用铜粉就能合成,铟和镓的配合物可以用较低纯度的InCl |
||
搜索关键词: | 一种 制备 高效 铜铟硒 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备高效铜铟硒和铜铟镓硒薄膜太阳能电池的方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:金属硫脲配合物合成(1)合成铜硫脲配合物CuTU3Cl60℃硫脲饱和水溶液中加入铜粉混合,100℃油浴,加入浓盐酸使铜粉溶解,抽滤并用丙酮清洗,重结晶,60℃干燥;(2)合成铟硫脲配合物InTU3Cl3或镓硫脲配合物GaTU6Cl3室温下硫脲饱和水溶液中加入InCl3·4H2O或GaCl3混合,搅拌,加热蒸发,室温静置,析出固体,重结晶,60℃干燥;步骤二:前驱体溶液配制将所述CuTU3Cl与InTU3Cl3或InTU3Cl3/GaTU6Cl3混合物溶解于DMF溶剂中,生成前驱体溶液;步骤三:铜铟硫、铜铟镓硫薄膜的制备将所述前驱体溶液旋涂在钼玻璃上并经过加热处理生成CIS或CIGS薄膜;步骤四:铜铟硒、铜铟镓硒薄膜的制备将所述CIS或者CIGS薄膜通过在Se的气氛中加热,生成CISSe或CIGSSe薄膜;步骤五:铜铟硒、铜铟镓硒太阳能电池器件组装在硒化后的吸收层上沉积CdS缓冲层,射频溅射窗口层,最后热蒸镀Ni/Al顶电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京邮电大学,未经南京邮电大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810569850.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造