[发明专利]一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法有效
| 申请号： | 201810565524.3 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108570655B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 高洁;于盛旺;郑可;黑鸿君;田武;潘雪楠;王月月;马永 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C23C16/27 | 分类号： | C23C16/27;C23C16/517;C23C10/28;C23C28/00 |
| 代理公司： | 14111 太原倍智知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 张宏;郭栋梁 |
| 地址： | 030024 *** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；以上所述钼促形核层厚度为0.1‑1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20‑100µm，最终在硅基片表面形成厚度为0.5‑3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜。该方法通过不断施加钼促形核层，提高金刚石成核速率，抑制晶粒长大，实现纳米金刚石厚膜的制备，该厚膜具有良好的强韧性及耐磨性等综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 形核层 厚膜 纳米金刚石膜 纳米金刚石 硅基片 自支撑 制备 沉积 双层辉光等离子渗 化学气相沉积 耐磨性 表面形成 腐蚀处理 厚度控制 晶粒长大 综合性能 金刚石 表面渗 强韧性 成核 渗钼 施加 金属 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：/n采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；/n采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；/n继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；/n以上所述钼促形核层厚度为0.1-1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20-100µm，晶粒尺寸控制为10-100nm；最终在硅基片表面形成厚度为0.5-3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜。/n
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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