[发明专利]一种氮化钛-聚吡咯纳米柱阵列材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810556848.0 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108766777B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王永;李春迎;吴长宇;徐凯;韩翠平;李菁菁 | 申请（专利权）人： | 徐州医科大学 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/30;H01G11/32;H01G11/48;H01G11/86 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 贾允;肖丁 |
| 地址： | 221000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料的制备方法和应用，所述方法包括以下步骤：S1.以碳纸作为基底材料，在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列，得到负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸；S2.将负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸进行氮化处理，得到负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸；S3.采用常规脉冲伏安法，在负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸上沉积聚吡咯，得到氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料。本发明制备的氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料，由于氮化钛纳米柱的导电性高、比表面大，每一根氮化钛纳米柱均被一层均匀的聚吡咯完全包裹，提高了材料的比电容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 吡咯 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.以碳纸作为基底材料，在其表面生长二氧化钛纳米柱阵列，得到负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸；S2.将所述负载二氧化钛纳米柱阵列的碳纸进行氮化处理，得到负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸；S3.采用常规脉冲伏安法，在所述负载氮化钛纳米柱阵列的碳纸上沉积聚吡咯，得到氮化钛‑聚吡咯纳米柱阵列材料。
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