[发明专利]一种超疏水白炭黑的低温等离子体制备新工艺有效

专利信息
申请号: 201810541791.7 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN108841207B 公开(公告)日: 2020-09-08
发明(设计)人: 王卉;曹莹莹;陈丹丹;邓兴宇;陈泽文 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C09C1/30 分类号: C09C1/30;C09C3/08
代理公司: 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 黄前泽
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开一种超疏水白炭黑的低温等离子体制备新工艺。本发明是将亲水型白炭黑放入低温等离子体装置中;将汽化后的改性剂与一定流速的载气混合,并通入低温等离子体装置中;在一定功率下,低温等离子体放电启动一段时间后,即可得到疏水白炭黑。本发明采用低温等离子体技术,不需要在高温高压下就能实现,可有效防止纳米孔道坍塌破坏,保障产品质量,同时工艺简单,绿色环保。
搜索关键词: 一种 疏水 炭黑 低温 等离子体 制备 新工艺
【主权项】:
1.一种超疏水白炭黑的低温等离子体制备新工艺,其特征在于该方法包括以下步骤:步骤(1)、把二氧化硅放入低温等离子体装置中;步骤(2)、将改性剂在一定温度下加热汽化;所述的改性剂为乙醇、乙二醇、丙三醇、丁醇等醇类和一氯乙烷、二氯乙烷、一氯丙烷等卤代烃中的至少一种;所述的汽化温度为50~200℃;步骤(3)、将汽化后的改性剂与一定流速的载气混合,并通入低温等离子体装置中;所述的载气为Ar、N2、He中的至少一种,载气流速为30~200ml/min;步骤(4)、在一定功率下,低温等离子体放电启动一段时间后,即可得到疏水白炭黑;所述的等离子体放电功率为2~20W,处理30~300min,温度为20‑80℃。
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