[发明专利]一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构与方法有效
申请号: | 201810541755.0 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108535890B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 吴雅苹;柯聪明;周江鹏;康俊勇;吴志明;张纯淼 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | G02F1/01 | 分类号: | G02F1/01;G02F1/00 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 张松亭;张迪 |
地址: | 361000 *** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构,包括:由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。采用激光入射至上述的结构中,激发III‑VI族硫属化物二维材料中自旋极化电子的跃迁,产生旋光现象,通过向第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构施加垂直电场,在0~100%范围内调控自旋极化电子的自旋极化率,实现电场可调极化率的旋光效应。本发明可解决旋光器件集成与兼容性问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 产生 具有 电场 可调 极化 结构 方法 | ||
【主权项】:
1.一种产生具有电场可调极化率的旋光的结构,其特征在于包括:由下至上依次层叠设置在基板上的第一透明电极、第一BN二维材料、掺杂有铁磁金属原子的III‑VI族硫属化物二维材料、第二BN二维材料、第二透明电极。
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