[发明专利]一种四阶局部有源忆阻器电路模型

摘要

本发明公开了一种四阶局部有源忆阻器电路模型。本发明的电路模型包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3、U4、U5、U6，集成运算放大器U1和乘法器U6分别连接输入端，即局部有源忆阻器的电压和电流的测试端；集成运算放大器U1用于实现积分运算、求和运算和反相运算，将输出信号再返回到乘法器U3，最终求得控制忆导值的状态变量，集成运算放大器U2用于实现反向运算和加法运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U6实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性，替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。

主权项

1.一种四阶局部有源忆阻器电路模型，其特征在于，该电路模型基于以下数理关系设计：i(t)和u(t)为忆阻器的电流与电压，变量x为忆阻器的状态；该电路模型包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3、U4、U5、U6，集成运算放大器U1和乘法器U3、U4、U5构成控制忆导的状态变量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算、加法运算和反相放大运算，将输出信号作为忆阻器等效电路的忆导控制信号；局部有源忆阻器等效电路由集成运算放大器U2和乘法器U6构成，集成运算放大器U2用于实现反向放大运算和加法运算，得到需要的四阶控制信号，乘法器U6用于实现将四阶控制信号和电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。