[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种对具有包含碳化硅的第一区域和与第一区域相接的包含氮化硅的第二区域的被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，该蚀刻方法通过反复实施以下流程，将第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，其中，在上述流程中，生成含氮的第一气体的等离子体，在第一区域的露出面的原子层形成包含该等离子体所含的离子的混合层，生成含氟的第二气体的等离子体，通过该等离子体所含的自由基除去混合层。由此，在对包含碳化硅的被处理体的蚀刻中能够适当地提高选择比。

主权项

1.一种对被处理体进行蚀刻的蚀刻方法，其特征在于：该被处理体包括第一区域和与该第一区域相接的第二区域，所述蚀刻方法具有包括以下步骤的流程：第一步骤，在收纳所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第一气体的等离子体，在所述第一区域的露出面的原子层形成包含该第一气体的等离子体所含的离子的混合层；第二步骤，在实施了所述第一步骤之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫；第三步骤，在实施了所述第二步骤之后，在所述处理容器内生成第二气体的等离子体，通过该第二气体的等离子体所含的自由基来除去所述混合层；和第四步骤，在实施了所述第三步骤之后，对所述处理容器内的空间进行吹扫，通过反复实施所述流程，将所述第一区域按每个原子层来除去，从而蚀刻该第一区域，第一区域包含碳化硅，第二区域包含氮化硅，第一气体包含氮，第二气体包含氟。