[发明专利]装置的形成方法在审
| 申请号： | 201810409528.2 | 申请日： | 2018-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN109216196A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡嘉庆;邱意为;张宏睿;许立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供内连线结构与其形成方法。方法包括形成开口于介电层与蚀刻停止层中，其中开口只部分地延伸穿过蚀刻停止层。方法亦包括产生真空环境于装置周围。在产生真空环境于装置周围之后，方法包括蚀刻穿过蚀刻停止层，以延伸开口并露出第一导电结构。方法亦包括形成第二导电结构于开口中。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻停止层 开口 导电结构 真空环境 蚀刻 内连线结构 延伸穿过 介电层 穿过 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种装置的形成方法，包括：形成一开口于一介电层与一蚀刻停止层中，其中该开口只部分地延伸穿过该蚀刻停止层；产生一真空环境于该装置周围；在产生该真空环境于该装置周围之后，蚀刻穿过该蚀刻停止层以延伸该开口，并露出一第一导电结构；以及形成一第二导电结构于该开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
