[发明专利]一种量子点薄膜及量子点发光二极管有效
| 申请号： | 201810404165.3 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110416421B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 杨一行;聂志文 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种量子点薄膜及量子点发光二极管，所述量子点薄膜包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔量子点；所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子点，组成所述间隔量子点材料的金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的金属元素位于同一族；组成所述间隔量子点材料的非金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的非金属元素位于同一族。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 薄膜 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种量子点薄膜，其特征在于，包括无镉量子点和分散在所述无镉量子点之间的间隔量子点；所述无镉量子点为核壳结构的无镉量子点；组成所述间隔量子点材料的金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的金属元素位于同一族；组成所述间隔量子点材料的非金属元素与组成所述无镉量子点的壳层材料的非金属元素位于同一族。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TCL科技集团股份有限公司，未经TCL科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810404165.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：量子点发光二极管及其制备方法
- 下一篇：QLED器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
