[发明专利]具有可控半导体元件的半导体装置

摘要

本公开涉及具有可控半导体元件的半导体装置。一种半导体装置包括：第一电源节点，连接至第一电位；第二电源节点，连接至第二电位；以及第三电源节点，连接至第三电位。第一半导体主元件和第二半导体主元件均具有控制电极和负载路径，负载路径串联连接在第一电源节点和第二电源节点之间，并经由第一公共节点相互连接。第三半导体主元件和第四半导体主元件均具有控制电极和负载路径，负载路径串联连接并位于第三电源节点和第二电源节点之间，经由第二公共节点相互连接。

主权项

1.一种半导体装置，包括：被配置为操作性地连接至第一电位(DC+)的第一电源节点、被配置为操作性地连接至第二电位(NP)的第二电源节点以及被配置为操作性地连接至第三电位(DC‑)的第三电源节点，所述第一电位(DC+)相对于所述第二电位(NP)为正，并且所述第三电位(DC‑)相对于所述第二电位(NP)为负；第一可控半导体主元件(T1)和第二可控半导体主元件(T2)，每个均具有控制电极(G1、G2)和位于两个负载电极之间的可控负载路径，该负载路径被操作性地串联连接并且位于所述第一电源节点(DC+)和所述第二电源节点(NP)之间，所述第一可控半导体主元件(T1)和所述第二半导体主元件(T2)经由第一公共节点(P)相互连接；第三可控半导体主元件(T3)和第四可控半导体主元件(T4)，每个均具有控制电极(G3、G4)和位于两个负载电极之间的可控负载路径，该负载路径被操作性地串联连接并且位于所述第三电源节点(DC‑)和所述第二电源节点(NP)之间，所述第三可控半导体主元件(T3)和所述第四可控半导体主元件(T4)经由第二公共节点(N)相互连接；第五可控半导体主元件(T5)，具有控制电极(G5)和位于两个负载电极之间的可控负载路径，该负载路径操作性地连接在所述第一公共节点(P)和输出节点(OUT)之间；以及第六可控半导体主元件(T6)，具有控制电极(G6)和位于两个负载电极之间的可控负载路径，该负载路径操作性地连接在所述第二公共节点(N)和所述输出节点(OUT)之间，其中可控半导体主元件(T1、T2、T3、T4、T5、T6)中的至少两个均包括多个相同可控半导体子部件(T5n、T6n)，每个子部件(T5n、T6n)均具有控制电极(513n、613n)和位于第一负载电极(511n、611n)和第二负载电极(512n、612n)之间的可控负载路径，该负载路径操作性地并联连接在其间连接有相应可控半导体主元件(T1、T2、T3、T4、T5、T6)的节点之间，并且其中在可控半导体主元件(T1、T2、T3、T4、T5、T6)的至少两个的每一个中，每个相应的可控半导体子部件(T5n、T6n)的第一负载电极(511n、611n)经由多条独立的输出线(581n、681n)中的对应一条电连接至相应节点，每条独立的输出线(581n、681n)均被配置为提供相同的电压和电流传送。