[发明专利]鳍式场效晶体管装置结构的形成方法在审
申请号: | 201810355316.0 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN109427674A | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 蔡宗裔;陈燕铭;李宗霖;叶致锴 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234;H01L27/088 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 冯志云;张福根 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本公开实施例提供一种具有虚设鳍式结构的鳍式场效晶体管装置结构及其形成方法。此鳍式场效晶体管装置结构包括隔离结构位于基板之上,以及第一鳍式结构延伸高于隔离结构。此鳍式场效晶体管装置结构包括第二鳍式结构埋设于隔离结构之中,以及衬层形成于第一鳍式结构的侧壁及第二鳍式结构的侧壁上。此鳍式场效晶体管装置结构包括材料层形成于第二鳍式结构之上,其中材料层与隔离结构是由不同的材料所形成。 | ||
搜索关键词: | 鳍式结构 鳍式场效晶体管 装置结构 隔离结构 材料层 侧壁 衬层 基板 埋设 虚设 延伸 | ||
【主权项】:
1.一种鳍式场效晶体管装置结构的形成方法,包括:形成多个第一鳍式结构及多个第二鳍式结构于一基板之上;形成一衬层于所述多个第一鳍式结构及所述多个第二鳍式结构的侧壁上;形成一隔离层于所述多个第一鳍式结构、所述多个第二鳍式结构及该衬层之上;形成一光致抗蚀剂层于该隔离层之上;将该光致抗蚀剂层图案化,以形成一经过图案化的光致抗蚀剂层;通过使用该经过图案化的光致抗蚀剂层作为一掩模,移除一部分的所述多个第二鳍式结构,以形成一沟槽,其中该衬层位于该沟槽的侧壁上;以及形成一填充层于该沟槽之中,其中该填充层与该隔离层是由不同的材料所形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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