[发明专利]太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备有效
| 申请号： | 201810350244.0 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108520909B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 郞芳;王英超;王红芳;刘杰;徐卓;张伟;王平;张磊;李锋;史金超 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李坤 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法及终端设备，该方法包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。本发明能够提高太阳能电池的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 硅片 氧化 钝化 方法 终端设备 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池硅片的氧化钝化方法，其特征在于，包括：通过氧化钝化工艺在第一预设数量的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理；获取经氧化钝化处理后的所述第一预设数量的太阳能电池硅片的第一理论电压值；获取第二预设数量的太阳能电池硅片的第二理论电压值；根据所述第一理论电压值和所述第二理论电压值判断所述氧化钝化工艺是否合格；在所述氧化钝化工艺合格时，通过所述氧化钝化工艺在除所述第一预设数量的太阳能电池硅片和所述第二预设数量的太阳能电池硅片外的太阳能电池硅片的表面进行氧化钝化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
