[发明专利]基于大位阻空间电荷转移的TADF材料及其合成方法与应用有效
| 申请号： | 201810341440.1 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108484592B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 杨湛;毛竹;赵娟;陈晓洁;杨志涌;于涛;郑世昭;刘四委;张艺;池振国;许家瑞 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C07D417/12 | 分类号： | C07D417/12;C07D209/86;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人： | 周端仪 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于大位阻空间电荷转移的TADF材料及其合成方法与应用，其可通过先得到2位取代的氟代或溴代的中间体，再将和相对应的硼酸通过Sizuki反应或者与相对应的芳香胺通过取代反应得到最终产物；或者先得到对应的硼酸酯中间体，再和相对应的溴代芳香烃通过Sizuki反应得到最终产物。本发明合成工艺简单，纯化容易，所合成的TADF发光材料具有高的发光效率，发光颜色可调的特性，同时可作为发光层用于制备高效率、低成本以及稳定性好的有机电致发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 大位阻 空间电荷 转移 tadf 材料 及其 合成 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于大位阻空间电荷转移的TADF材料，其结构如通式所示：![]()
其中，X为酮基或者砜基；R为芳香环或芳香杂环取代基，或者是H原子、卤素原子、甲氧基、二甲基胺、硝基、氰基或羧基；Ar为芳香环或芳香杂环取代基。
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