[发明专利]锗硅外延制造方法在审
| 申请号： | 201810330070.1 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108520853A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 郑印呈 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅外延制造方法，包括以下步骤：SiCoNi刻蚀去除氧化层；利用氢气去除碳；锗硅外延制造；制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；淀积硅覆盖层。本发明的锗硅外延制造方法能避免由于锗硅锗硅外延结节造成的器件击穿电压降低，进而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 锗硅外延 保护层 制造 结节 刻蚀 去除 器件击穿电压 硅覆盖层 氢气去除 氧化层 淀积 锗硅 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅外延制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)SiCoNi刻蚀去除氧化层；2)利用氢气去除碳；3)锗硅外延制造；4)制造保护层使保护层完全覆盖锗硅外延结节；5)按保护层的厚度整体刻蚀去除保护层；6)淀积硅覆盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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