[发明专利]一种省肥高产的番茄种植方法

摘要

本发明提供了一种省肥高产的日光温室中番茄的种植方法：采用垄内分层施肥的施肥方式，采用单行单株双蔓V字形的种植方式，结合中耕最终形成“山”字形种植垄。本发明提供的种植方法通风透光，病虫害少；根系发达，增产潜力大；在肥料、种苗和农药上的投资比常规种植方式低；机械化水平高，用工相对集中，劳动量小。采用本方法获得的果实整齐均匀，果实大，着色好，残次果量低，优质果产量高，比常规种植方式增产15%以上；本发明的方法种养结合，回避连作；投资少，管理方便，省工省时，实现了高产高效。

主权项

1.一种省肥高产的番茄种植方法，其特征在于，采用以下步骤：（1）地块平整后，按照140‑150cm的距离开沟，沟深15㎝，沟宽40㎝，沟内条施有机肥后覆土至平；在其上撒施化肥，施肥宽度60㎝；然后旋耕，旋耕深度20cm；（2）在施肥沟上做宽度为70cm的种植垄，种植垄中央保留一条10㎝宽的种植行，种植行两侧开沟，把土搂向垄沿，沟宽20㎝，沟深3‑5㎝，沟内施用菌肥后混土；（3）在种植行上种植番茄苗，要深栽浅埋，栽后浇足定植水，5天左右适浇缓苗水，缓苗后打顶；（4）侧芽达到20㎝时，保留基部两个健壮侧芽，其他侧芽全部去除，然后进行浅中耕，中耕深度2‑3cm；（5）蔓长达到35‑50cm时吊蔓，把两条蔓吊成“V”字型生长状态；（6）吊蔓后中耕，并向番茄根部培土，培土高度5cm。