[发明专利]一种eGaN HEMT桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法在审
申请号: | 201810326422.6 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108649777A | 公开(公告)日: | 2018-10-12 |
发明(设计)人: | 张英;秦海鸿;彭子和;修强;徐华娟 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M1/32;H02M1/38 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种eGaN HEMT桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法,电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管之间的第一驱动电路和连接在下桥臂的第二供电电源与下管之间的第二驱动电路,第一、第二驱动电路结构相同,均包括栅极电压图腾柱结构电路和低阻抗桥臂串扰抑制电路。其中,栅极电压图腾柱结构电路的输入端接第一/第二供电电源,输出端连接上管/下管的栅极,低阻抗桥臂串扰抑制电路的输入端接第一/第二供电电源,输出端分别连接上管/下管的栅极和源极。此种驱动电路可充分发挥eGaN HEMT高速开关的性能优势,在实现桥臂串扰抑制功能的同时实现高速开关。 | ||
搜索关键词: | 桥臂 串扰 供电电源 驱动电路 上管 下管 第二驱动电路 电路 图腾柱结构 高速开关 抑制电路 栅极电压 低阻抗 输入端 第一驱动电路 输出端连接 性能优势 上桥臂 输出端 源极 | ||
【主权项】:
1.一种eGaN HEMT桥臂串扰抑制驱动电路,其特征在于:该驱动电路连接在eGaN HEMT桥臂电路中,所述eGaN HEMT桥臂电路包括上桥臂和下桥臂,上桥臂包括相互连接的第一供电电源U1(H)和上管,下桥臂包括相互连接的第二供电电源U1(L)和下管;所述驱动电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管之间的第一驱动电路和连接在下桥臂的第二供电电源与下管之间的第二驱动电路,第一驱动电路和第二驱动电路结构相同;所述第一驱动电路包括第一栅极电压图腾柱结构电路和第一低阻抗桥臂串扰抑制电路,所述第一栅极电压图腾柱结构电路的输入端连接第一供电电源,输出端连接上管的栅极,所述第一低阻抗桥臂串扰抑制电路的输入端连接第一供电电源,输出端分别连接上管的栅极和源极;所述第二驱动电路包括第二栅极电压图腾柱结构电路和第二低阻抗桥臂串扰抑制电路,所述第二栅极电压图腾柱结构电路的输入端连接第二供电电源,输出端连接下管的栅极,所述第二低阻抗桥臂串扰抑制电路的输入端连接第二供电电源,输出端分别连接下管的栅极和源极。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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