[发明专利]纳米结构转印方法及利用堆栈方法制备多层纳米结构的方法有效

专利信息
申请号: 201810319953.2 申请日: 2018-04-11
公开(公告)号: CN108528078B 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 金崇君;郑超群;刘文杰 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: B41M5/382 分类号: B41M5/382;B41M5/42;H01L51/56
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 张玲春
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种纳米结构转印方法及利用堆栈方法制备多层纳米结构的方法,主要包括:在原始衬底上依次形成水溶性层、聚甲基丙烯酸甲酯层和纳米结构的胶层;在纳米结构的胶层上沉积金属膜;用蓝膜去除纳米结构的上层金属膜;将弹性衬底贴合到纳米结构上;将PMMA层及金属纳米结构和胶纳米结构转移至弹性衬底上;将所形成样品的PMMA层贴合至目标衬底上,并施加一定的压强和温度,使得PMMA层与目标衬底紧密贴合;等温度降至室温后,撕掉弹性衬底,去除胶纳米结构,从而将金纳米结构和PMMA层转印至目标衬底。利用该方法,可以将制备出的纳米结构有序地堆叠起来形成三维立体纳米结构,在微纳米材料加工方面具有重要前景。
搜索关键词: 纳米 结构 方法 利用 堆栈 制备 多层
【主权项】:
1.一种纳米结构转印方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:在原始衬底上依次形成水溶性层、聚甲基丙烯酸甲酯层和胶层;步骤二:形成具有纳米结构的胶层;步骤三:在上述具有纳米结构的胶层上沉积金属膜,其中,金属膜厚度小于胶层厚度;步骤四:用具有硅胶层的蓝膜与上述结构紧密贴合,去除纳米结构的上层金属膜,保留下层金属膜和具有纳米结构的胶层;步骤五:将弹性衬底贴合到纳米结构上;步骤六:将样品浸没在水中,使原始衬底与PMMA层分离;将PMMA层及金属纳米结构和胶纳米结构转移至了弹性衬底上,由衬底至上分别为弹性衬底、金纳米结构和胶纳米结构、PMMA层;步骤七:将上述样品的PMMA层表面覆盖一层3‑巯丙基三甲氧基硅烷的单分子层;步骤八:将步骤七所形成样品的PMMA层贴合至目标衬底上,并施加一定的压强和温度,使得PMMA层与目标衬底紧密贴合;步骤九:等温度降至室温后,撕掉弹性衬底,去除胶纳米结构,从而将金纳米结构和PMMA层转印至目标衬底。
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