[发明专利]一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法在审
| 申请号： | 201810317772.6 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108493760A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 逯心红;王忠政;洪志苍;方瑞禹 | 申请（专利权）人： | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/028 | 分类号： | H01S5/028 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 266555 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种Si3N4/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法。PECVD方法制备的Si3N4膜层的膜层应力为负应力，而PECVD方法制备的SiON膜层的膜层应力为正应力。本发明通过将具有负应力的Si3N4膜层和具有正应力的SiON膜层进行复合，形成较低应力的Si3N4/SiON复合膜，从而降低芯片制备过程中的应力叠加效应。另外，Si3N4膜层和SiON膜层均具有较好的抗水汽性能，因而制备的Si3N4/SiON复合膜能够同时具备抗水汽性能及低膜层应力性能，满足高速激光器芯片的性能要求。 | ||
| 搜索关键词： | 膜层 制备 复合膜 激光器芯片 抗水汽性能 正应力 高速激光器 叠加效应 芯片制备 性能要求 低应力 低膜 芯片 复合 | ||
【主权项】：
1.一种Si3N4/SiON复合膜，其特征在于，包括沉积反应形成的SiON膜层以及沉积在所述SiON膜层上的Si3N4膜层，或沉积反应形成的Si3N4膜层以及沉积在所述Si3N4膜层上的SiON膜层。
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