[发明专利]一种测量晶圆表面电荷密度变化的方法

摘要

本发明公开了一种测量晶圆表面电荷密度变化的方法：测量未生长薄膜的裸晶圆(或薄膜处理前晶圆)的表面方块电阻(记为R0)；沉积薄膜于晶圆表面后(或已沉积薄膜经过一定工艺处理后)测量晶圆表面方块电阻(记为R)。如果采用P型晶圆衬底，那么表面电荷密度变化值为ΔQ＝‑(1/R‑1/R0)/eμp；如果采用N型晶圆衬底，那么表面电荷密度变化值为ΔQ＝(1/R‑1/R0)/eμn，其中电荷变化的极性由公式的正负值给出：正值代表正电荷的增加或者负电荷的减少；负值代表负电荷的增加或者正电荷的减少，其中e为基本电荷；μp和μn分别为空穴迁移率和电子迁移率，二者对于具体采用的晶圆是固定值。

主权项

1.一种判断晶圆表面电荷密度变化的方法，其特征在于：判断晶圆表面电荷密度变化方法的步骤如下：(1)采用薄膜沉积工艺方法生长薄膜于N型或者P型的裸晶圆表面，形成晶圆/薄膜的样品结构；(2)对未沉积任何薄膜的裸晶圆表面，或者其上已沉积有薄膜的晶圆表面在工艺处理前，进行方块电阻测量，测量值记为R₀；(3)对薄膜生长后的晶圆表面，或者已有薄膜的晶圆表面在工艺处理以后，进行方块电阻测量，测量值记为R；(4)采用上述R₀和R值计算晶圆表面电荷密度变化如下：若采用P型晶圆衬底，则表面电荷密度变化值为ΔQ＝‑(1/R‑1/R₀)/eμ_p；若采用N型晶圆衬底，则表面电荷密度变化值为ΔQ＝(1/R‑1/R₀)/eμ_n；其中电荷变化的极性由公式的正负值给出：正值代表正电荷的增加或者负电荷的减少；负值代表负电荷的增加或者正电荷的减少；其中e为基本电荷；μ_p和μ_n分别为空穴迁移率和电子迁移率，在室温下对一定材料和电阻率的晶圆二者是常数。