[发明专利]用于接触孔对准的多晶硅迭层测量图形的制造方法

摘要

本发明公开了一种用于接触孔对准的多晶硅迭层测量图形的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成第一栅介质层和多晶硅层；步骤二、形成硬质掩模层；步骤三、光刻定义出多晶硅栅和多晶硅迭层测量图形的形成区域；多晶硅迭层测量图形的形成区域中仅在各多晶硅线条表面覆盖光刻胶；步骤四、依次对硬质掩模层和多晶硅层进行刻蚀形成多晶硅栅和多晶硅迭层测量图形；步骤五、采用光刻胶回刻工艺去除多晶硅栅和各多晶硅线条表面的硬质掩模层。本发明能防止在多晶硅迭层测量图形表面产生硬质掩模层的残留，从而能改善接触孔的套准测量效果，也从而能根据接触孔的套准测量进行尺寸补偿，从而能防止产品报废，最后能提高产品良率。

主权项

1.一种用于接触孔对准的多晶硅迭层测量图形的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供一半导体衬底，在所述半导体衬底表面依次形成第一栅介质层和多晶硅层；步骤二、在所述多晶硅层的表面形成硬质掩模层；所述硬质掩模层中包括第一氮化层；步骤三、进行光刻形成第一光刻胶的图形定义出多晶硅栅的形成区域以及多晶硅迭层测量图形的形成区域；所述多晶硅栅的形成区域被第一光刻胶覆盖；所述多晶硅迭层测量图形中包括多个多晶硅线条排列结构，各所述多晶硅线条排列结构由多条多晶硅线条排列而成，所述多晶硅迭层测量图形的形成区域中仅在各所述多晶硅线条表面覆盖第一光刻胶，各所述多晶硅线条外的第一光刻胶都被去除，用以降低所述多晶硅迭层测量图形中的具有连续多晶硅结构的面积；步骤四、在步骤三形成的第一光刻胶定义下依次对所述硬质掩模层和所述多晶硅层进行刻蚀分别形成所述多晶硅栅和所述多晶硅迭层测量图形；步骤五、采用光刻胶回刻工艺去除各所述多晶硅栅和所述多晶硅迭层测量图形的各所述多晶硅线条表面的所述硬质掩模层，通过步骤三中对所述多晶硅迭层测量图形中的具有连续多晶硅结构的面积的控制使所述多晶硅迭层测量图形区域中的所述硬质掩模层都被去除，防止所述硬质掩模层残留影响所述多晶硅迭层测量图形的测量。