[发明专利]紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法在审
| 申请号： | 201810237053.3 | 申请日： | 2018-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN108428790A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 刘富荣;黄引;樊婷;张永志;李文强;韩子豪;韩钊 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张立改 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法，属于复合存储器技术领域；利用磁控溅射镀膜仪制备“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构，然后使用短波长的紫外激光辐照该异质结构，控制激光输入能量，使得GeSbTe薄膜发生相变(晶化或者非晶化)而磁性材料薄膜不发生相变，GeSbTe薄膜由于相变产生的体积效应，诱发磁性薄膜磁畴发生偏转并且这种偏转是可以有效控制的，同时相变和磁畴偏转又是可逆的，从而使得激光可以同时对GeSbTe薄膜和磁性薄膜产生作用和控制，有望实现磁存储和相变光存储的耦合复合存储。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结构 偏转 磁性材料 耦合 基底 存储 磁性薄膜 紫外激光 复合 磁畴 磁光 磁控溅射镀膜 磁性材料薄膜 激光输入能量 紫外激光辐照 复合存储器 体积效应 有效控制 磁存储 短波长 非晶化 光存储 可逆的 晶化 制备 激光 诱发 | ||
【主权项】：
1.一种紫外激光作用于“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构实现磁光耦合复合存储的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一，“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构的制备：使用磁控溅射镀膜仪，将基底按要求放在镀膜仪内的样平台上，在氩气压强下，在基底上，先沉积一层非晶GeSbTe薄膜，再沉积一层磁性材料；步骤二，“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构样本准备，使用超声波对“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构样本的表面进行清洁；步骤三，使用激光器的激光辐照“磁性材料/GeSbTe/基底”异质结构的磁性材料，透过磁性材料诱导GeSbTe薄膜发生相变，而磁性材料不发生相变；步骤四，通过调整激光器的泵浦能量和连续衰减片，实现激光能量的连续可调，同时对异质结构的辐照能量连续可调，实现GeSbTe薄膜晶化或者非晶化相互转化，且磁性材料不发生相变，进一步实现磁光耦合复合存储。
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