[发明专利]一种含硅量子点多层膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201810219237.7 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108461386B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 姜礼华;汪涛;彭宇;肖婷;向鹏;孙宜华;谭新玉 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 42103 宜昌市三峡专利事务所 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含硅量子点多层膜及其制备方法，以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；采用等离子体增强化学气相沉积技术在所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；重复上述步骤，制备周期性氢化碳氮硅薄膜/非晶硅多层膜，再在氩气氛围中对所制得的周期性多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。通过多层膜和热退火的方式减小薄膜内应力和界面缺陷态，以碳、氮和氢元素钝化硅量子点表面断键和悬挂键，以非晶硅层和碳氮硅基质减小载流子在硅量子点间隧穿势垒，从而使含硅量子点的碳氮硅/非晶硅多层膜具有良好的光电特性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅量子点 多层膜 制备 氢化碳 热退火 氮硅 碳氮 等离子体增强化学气相沉积 薄膜 非晶硅 减小 载流子 单晶硅基片表面 非晶硅薄膜 界面缺陷态 薄膜表面 反应气体 非晶硅层 高纯氮气 高纯甲烷 光电特性 隧穿势垒 氩气氛围 硅薄膜 硅基质 氢元素 悬挂键 钝化 硅烷 沉积 重复 | ||
【主权项】：
1.一种含硅量子点多层膜的制备方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：/n（1）清洗单晶硅基片；/n（2）以硅烷、高纯甲烷和高纯氮气为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在单晶硅基片表面沉积一层氢化碳氮硅薄膜；/n（3）以硅烷为反应气体，采用等离子体增强化学气相沉积技术在步骤（2）中所制备的氢化碳氮硅薄膜表面制备非晶硅薄膜；/n（4）依次重复步骤（2）和步骤（3），制备周期性氢化碳氮硅/非晶硅多层膜；/n（5）周期性氢化碳氮硅/非晶硅多层膜制备完成后，在高纯氩气氛围中对步骤（4）所获得的多层膜进行热退火处理，硅量子点便在热退火处理过程中于碳氮硅薄膜内形成。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
