[发明专利]痕量气体同位素富集系统和方法有效
| 申请号： | 201810211551.0 | 申请日： | 2018-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN108479394B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 孙良亭;卢征天;武启;杨伟顺;刘建立;陈沁闻;胡强;姚庆高;张金泉;贾泽华;杨尧;郭玉辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 主分类号： | B01D59/48 | 分类号： | B01D59/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 崔亚松 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： |
本发明采用强流ECR(Electron Cyclotron Resonance)离子源技术，通过高效离化产生约10mA的Ar |
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| 搜索关键词： | 痕量 气体 同位素 富集 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种痕量气体同位素富集系统，包括：离子源装置、离子分离装置、同位素收集装置和气体循环及纯化装置，其中所述离子源装置用于产生离子束流，所述离子分离装置用于产生磁场以使离子束流中不同离子按荷质比差异进行分离，所述同位素收集装置用于收集目标离子，所述气体循环及纯化装置用于将通过所述同位素收集装置未被收集的气体输送至所述离子源装置的气体工作通道中。
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