[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810204001.6 | 申请日： | 2018-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108417478B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 任思雨;陈卓;徐先新;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及其制备方法，多晶硅薄膜的制备方法包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。通过变化的成膜速率对非晶硅薄膜进行沉积成膜，使得非晶硅薄膜可分别在较大和较小的成膜速率下成膜，在较大的成膜速率下，能够有效提高生产效率，并且使得非晶硅薄膜的折射率较低，进而减小与氛围气体之间的折射率的差值，降低了界面反射的反射率，有效提高激光的利用率，而在较小的成膜速率下成膜时，能够使得非晶硅薄膜的成膜效果更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 及其 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：采用变化的成膜速率沉积形成非晶硅薄膜；采用激光退火工艺，将非晶硅薄膜转化为多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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