[发明专利]一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法在审
申请号: | 201810196099.5 | 申请日: | 2018-03-09 |
公开(公告)号: | CN108531981A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 招瑜;陆健婷;李京波 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C30B23/00 | 分类号: | C30B23/00;C30B29/46;C30B29/64 |
代理公司: | 广东广信君达律师事务所 44329 | 代理人: | 杨晓松 |
地址: | 510062 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法,包括如下步骤:S1:清洗云母片;S2:材料准备:称量10‑15mg三硫化二铟粉末,将三硫化二铟粉末放置在干净的石英舟上,将清洗过的云母片平放在石英舟的上方,然后将石英舟放置在管式炉内;S3:气流控制:完全打开管式炉的进气阀与出气阀,打开氩气瓶,调节气体流量计气流量为500‑600sccm,向管式炉的石英管通入氩气10‑30分钟,以排尽空气杂质;S4:加热生长:打开管式炉,在20分钟内从室温升至980度,在980度保温5‑10分钟后自然冷却,得到二维三硫化二铟单晶。本发明具有所需设备和制备工艺简单、生长时间短,可直接得到结晶良好、纯度较高、尺寸较大的二维三硫化二铟等优点。 | ||
搜索关键词: | 硫化 管式炉 二维 石英舟 单晶 云母 云母片 衬底 制备 清洗 气体流量计 氩气 材料准备 空气杂质 气流控制 完全打开 制备工艺 出气阀 进气阀 气流量 石英管 氩气瓶 生长 称量 加热 保温 | ||
【主权项】:
1.一种在云母衬底上制备二维三硫化二铟单晶的方法,其特征在于:包括如下步骤:S1:清洗云母片;S2:材料准备:称量10‑15mg三硫化二铟粉末,将三硫化二铟粉末放置在干净的石英舟上,将清洗过的云母片平放在石英舟的上方,然后将石英舟放置在管式炉内;S3:气流控制:完全打开管式炉的进气阀与出气阀,打开氩气瓶,调节气体流量计气流量为500‑600sccm,向管式炉的石英管通入氩气10‑30分钟,以排尽空气杂质;S4:加热生长:打开管式炉,在20分钟内从室温升至980度,在980度保温5‑10分钟后自然冷却,得到二维三硫化二铟单晶。
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