[发明专利]形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法

摘要

本申请涉及形成相变材料的方法和形成相变存储器电路的方法。本发明揭示一种形成具有锗和碲的相变材料的方法，其包括将含锗材料沉积于衬底上。所述材料包括呈元素形式的锗。使包含碲的气态前体流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。本发明还揭示其它实施方案。

主权项

1.一种形成包含锗和碲的相变材料的方法，其包含：利用由GeH4、四‑二烷基酰胺基锗和双‑二叔丁基脒基锗的一者中的成分组成的金属前体化学剂来将包含锗的材料沉积于衬底上，所述包含锗的材料包含呈元素形式的锗，并使用还原前体来促使所述呈元素形式的锗形成由元素锗构成的包含锗的层；和使气态乙氧化碲IV流动到所述包含锗的材料上且从所述气态前体移出碲以与所述包含锗的材料中所述呈元素形式的锗反应，从而在所述衬底上形成相变材料的包含锗和碲的化合物。