[发明专利]一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810166052.4 | 申请日： | 2018-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108417713A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿;魏潇赟;李爱源;曹菊鹏;朱淼 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含双层介电层的有机薄膜晶体管及其制备方法，其中，有机薄膜晶体管从下至上依次包括：栅极衬底、第一介电层、第二介电层、有机半导体层和电极；所述第一介电层的材料为无机介电材料或者介电常数大于5的聚合物材料；所述第二介电层的材料为含氟聚酰亚胺；所述有机半导体层和所述第二介电层均与所述电极搭接。本发明利用上层含氟聚酰亚胺的疏水性来降低电荷被陷阱俘获的概率，同时利用含氟聚酰亚胺较匹配的热膨胀系数以及良好的延展性来提升晶体管的热稳定性；而下层介电层则用于降低器件暗电流，抑制阈值电压的正向漂移。本发明通过设计双层介电层，改善了有机薄膜晶体管的热稳定性和电稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 有机薄膜晶体管 含氟聚酰亚胺 双层介电层 有机半导体层 热稳定性 电极 制备 无机介电材料 延展性 漂移 聚合物材料 热膨胀系数 电稳定性 降低器件 介电常数 阈值电压 电荷 暗电流 疏水性 栅极衬 晶体管 俘获 搭接 正向 下层 匹配 上层 陷阱 概率 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，从下至上依次包括：栅极衬底、第一介电层、第二介电层、有机半导体层和电极；所述第一介电层的材料为无机介电材料或者介电常数大于5的聚合物材料；所述第二介电层的材料为含氟聚酰亚胺；所述有机半导体层和所述第二介电层均与所述电极搭接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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