[发明专利]一种含硼空穴掺杂剂在钙钛矿太阳能电池空穴传输层中的应用在审
| 申请号： | 201810154042.9 | 申请日： | 2018-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108365103A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈永华;汪泽;夏英东;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 吴频梅 |
| 地址： | 210009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含硼空穴掺杂剂及其在钙钛矿太阳能电池空穴传输层中的应用，属于光电子材料与器件领域。该发明将4‑异丙基‑4'‑甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐或三(五氟苯基)硼烷分别作为掺杂剂，按照质量比1％‑15％添加到空穴传输材料中，利用旋涂技术在正向结构钙钛矿太阳能电池的钙钛矿薄膜上成膜，用作正向结构钙钛矿太阳能电池的空穴传输层。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 钙钛矿 空穴传输层 掺杂剂 空穴 五氟苯基 正向 空穴传输材料 二苯基碘鎓 钙钛矿薄膜 光电子材料 器件领域 硼酸盐 异丙基 质量比 硼烷 旋涂 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含硼空穴掺杂剂在钙钛矿太阳能电池空穴传输层中的应用，其特征在于：在常见的高分子空穴传输材料Poly‑TPD、PTAA或TFB中添加一定质量比的4‑异丙基‑4'‑甲基二苯基碘鎓四(五氟苯基)硼酸盐或三(五氟苯基)硼烷。
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