[发明专利]一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法在审
| 申请号： | 201810149636.0 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108385167A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 谢辉;赵有文;董志远;刘京明 | 申请（专利权）人： | 北京鼎泰芯源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 李琳;李玉琦 |
| 地址： | 100080 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法，包括以下步骤：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；将该半绝缘磷化铟单晶放入石英管内，并放入一定量的高纯红磷和铁粉；对装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管进行抽真空，并封口；将装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管放入高温退火炉内，在磷气氛和磷化铁气氛共同存在的气氛下高温退火。本发明的降低半绝缘磷化铟单晶深能级缺陷的方法将半绝缘InP晶体在P和FeP2气氛下退火处理，能显著的减少InP晶片的深能级缺陷，可以获得电学性能优异、热稳定性好的半绝缘lnP单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 半绝缘 磷化铟单晶 石英管 放入 高纯 红磷 铁粉 深能级缺陷 深能级 高温退火炉 封口 尺寸匹配 电学性能 高温退火 清洗烘干 热稳定性 退火处理 抽真空 磷化铁 单晶 绝缘 | ||
【主权项】：
1.一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：对半绝缘磷化铟单晶进行表面处理；步骤2：选取与半绝缘磷化铟单晶的尺寸匹配的石英管，进行清洗烘干待用；步骤3：将该半绝缘磷化铟单晶放入石英管内，并放入一定量的高纯红磷和铁粉；步骤4：对装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管进行抽真空，并封口；步骤5：将装有半绝缘磷化铟单晶和高纯红磷及铁粉的石英管放入高温退火炉内，在磷气氛和磷化铁气氛共同存在的气氛下高温退火。
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