[发明专利]NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种NMOS型栅体互连光电探测器及其制备方法，光电探测器由栅体互连NMOS晶体管和光电二极管复合而成；在P型半导体衬底上，由N型杂质注入形成N阱，在N阱内通过P型杂质注入形成T阱；在T阱中通过掺杂或离子注入形成NMOS晶体管，将NMOS晶体管的栅体互连。包括：在热生长的二氧化硅栅氧层上用化学气相淀积法淀积多晶硅，干法刻蚀出多晶硅栅图形；离子注入分别制作出NMOS晶体管的源、漏、P型衬底和N阱、T阱接触区；光刻出NMOS晶体管源极、漏极、栅极，及P型衬底和N阱、T阱接触区的引线孔，淀积一层金属膜，光刻出晶体管和接触区的电极图形；利用光刻、刻蚀及金属化工艺制备其它高层互连金属，用于将光电流引出至接触焊盘。

主权项

1.一种NMOS型栅体互连光电探测器，其特征在于，所述光电探测器适用于弱光探测，且基于标准CMOS工艺；所述光电探测器由栅体互连NMOS晶体管和光电二极管复合而成；在P型半导体衬底上，由N型杂质注入形成N阱，在N阱内通过P型杂质注入形成T阱；再在T阱中通过掺杂或离子注入形成NMOS晶体管，将NMOS晶体管的栅‑体互连；当可见光照射光电二极管区域时，入射光激发电子‑空穴对；光生电子逆着电势梯度方向转移到N阱，光生空穴在T阱底部聚集，改变NMOS晶体管的栅极电势，使其工作在弱反型或强反型状态；MOS晶体管将光电流放大为漏电流输出。