[发明专利]磁装置和用于设置磁装置的方法在审
| 申请号： | 201810099861.8 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN108376736A | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 郑洪植;罗曼·凯普斯肯;唐学体;德米特罗·埃帕尔科夫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了磁装置及用于设置磁装置的方法。描述了一种包括多个磁性结和至少一个自旋轨道相互作用(SO)活性层的磁存储器。每个磁性结包括被钉扎层、自由层和位于参考层与自由层之间的非磁性间隔层。自由层具有倾斜的易磁化轴和高阻尼常数中的至少一种。倾斜的易磁化轴与垂直于平面方向成非零度锐角。高阻尼常数至少为0.02。所述至少一个SO活性层与自由层相邻并且输运平面内电流。所述至少一个SO活性层由于电流而对自由层施加SO力矩。利用SO力矩使自由层是可切换的。 | ||
| 搜索关键词： | 自由层 磁装置 活性层 易磁化轴 高阻尼 非磁性间隔层 被钉扎层 磁存储器 平面方向 参考层 非零度 可切换 锐角 输运 自旋 垂直 施加 轨道 | ||
【主权项】：
1.一种磁装置，所述磁装置包括：多个磁性结，所述多个磁性结中的每个磁性结包括自由层、被钉扎层和非磁性间隔层，非磁性间隔层位于被钉扎层与自由层之间，自由层具有倾斜的易磁化轴和高阻尼常数中的至少一种，所述倾斜的易磁化轴与垂直于平面方向成非零度锐角，所述高阻尼常数为至少0.02；以及至少一个自旋轨道相互作用活性层，与所述多个磁性结中的每个磁性结的自由层相邻，所述至少一个自旋轨道相互作用活性层输运平面内电流，所述至少一个自旋轨道相互作用活性层由于经过所述至少一个自旋轨道相互作用活性层的电流而对自由层施加自旋轨道相互作用力矩，利用自旋轨道相互作用力矩使自由层是可切换的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810099861.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
