[发明专利]一种硒化锑薄膜制备方法及装置

摘要

本发明公开了一种硒化锑薄膜在线硒补偿方法及装置。本发明的方法是在应用溅射法制备硒化锑薄膜的过程中，在生长室腔体内蒸发固体硒源，以进行在线硒补偿，优化薄膜成分。本发明方法通过调节蒸发硒源的温度时间等参数，可对制备的硒化锑薄膜化学成分进行调节并使之符合化学计量比，解决了应用溅射法制备硒化锑薄膜硒缺失的问题。本发明的装置是在生长室内设有溅射系统和热蒸发系统；所述溅射系统是在所述生长室内设置有带加热丝的旋转衬底台和设置于衬底台下方的溅射靶，以及在所述生长室上设置有冷却系统、进气系统、抽真空系统和气压检测系统；所述热蒸发系统是在所述生长室内设置有用于盛放固态硒源的热蒸发坩埚。

主权项

1.一种硒化锑薄膜制备方法，其特征在于，所述方法是：（1）采用射频磁控溅射工艺在待制膜基片上溅射制备硒化锑薄膜：选择Ar气为溅射气体，所用靶材为硒化锑陶瓷靶，设定溅射功率密度为0.6~5W/cm2、溅射气压为0.2~10Pa；（2）在溅射制备硒化锑薄膜的同时进行在线硒补偿，所述在线硒补偿是溅射的同时采用热蒸发工艺蒸发固态硒源，所述硒源为高纯硒颗粒或硒粉末，热蒸发坩埚温度设定为80~160℃，衬底温度设定为150~500℃。