[发明专利]用于电化学处理半导体基底的方法和装置及装置维修方法在审
| 申请号： | 201810069614.3 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108346599A | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | 约翰·麦克尼尔;马丁·艾尔丝;特雷弗·托马斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚开丽 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 根据本发明，提供了一种用于处理半导体晶片的正面的方法、装置以及装置维修方法，所述装置包括：主室；连接到所述主室的至少一个装载口，用于将所述晶片置入所述主室；晶片处理模块的至少一个堆，上述堆包括三个或更多个基本竖直堆的晶片处理模块，其中所述堆叠中的相邻晶片处理模块之间的竖直间隔小于50cm，并且每个处理模块被配置为当所述晶片以所述晶片的正面朝上的方式基本水平地布置在其中时处理所述晶片，并且至少一个晶片处理模块是电化学晶片处理模块；以及传送机构，用于在所述装载口与所述处理模块之间传送所述晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 晶片处理模块 处理模块 主室 装置维修 装载口 竖直 处理半导体晶片 半导体基底 电化学处理 方法和装置 电化学 传送机构 基本水平 相邻晶片 朝上 堆叠 置入 传送 配置 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体晶片的正面的装置，包括：主室；连接到所述主室的至少一个装载口，用于将所述晶片置入所述主室；晶片处理模块的至少一个堆，所述堆包括三个或更多个基本上竖直地堆叠的晶片处理模块，其中，所述堆中的相邻晶片处理模块之间的竖直间隔小于50cm，并且每个处理模块被配置为当所述晶片正面朝上基本上水平地布置在所述处理模块中时处理所述晶片，并且至少一个晶片处理模块是电化学晶片处理模块；以及传送机构，用于在所述装载口与所述处理模块之间传送所述晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
