[发明专利]多量子阱红外探测器有效
| 申请号： | 201810062706.9 | 申请日： | 2018-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110071185B | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孙令;王禄;马紫光;江洋;王文新;贾海强;陈弘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0304 | 分类号： | H01L31/0304;H01L31/0352;H01L31/105;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及多量子阱红外探测器。根据一实施例，一种多量子阱红外探测器可包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及多量子阱层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述多量子阱层包括交替设置的至少一个量子阱层和至少两个势垒层，每个量子阱层插入在两个相邻的势垒层之间，其中，所述量子阱层的E1能级高于所述势垒层的价带，并且所述量子阱层具有足够大的厚度以使得其吸收峰在3μm以上。本发明的多量子阱红外探测器能实现中波红外探测，因此具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 多量 红外探测器 | ||
【主权项】：
1.一种多量子阱红外探测器，包括：第一半导体层，其具有第一导电类型；第二半导体层，其具有第二导电类型，所述第二导电类型不同于所述第一导电类型；以及多量子阱层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述多量子阱层包括交替设置的至少一个量子阱层和至少两个势垒层，每个量子阱层插入在两个相邻的势垒层之间，其中，所述量子阱层的E1能级高于所述势垒层的价带，并且所述量子阱层具有足够大的厚度以使得其吸收峰在3μm以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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