[发明专利]透明导电体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810058908.6 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109872833A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 禹庆槿;杨志方;吴明坤 | 申请（专利权）人： | 富元精密科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 贾慧琴 |
| 地址： | 中国台湾桃园县观音乡*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种透明导电体结构，其包含：基板与依序层叠于基板上的第一透明导电图案、透明绝缘层、第二透明导电图案以及消影层，该消影层包含：具有第一折射率且直接位于第二透明导电图案上的第一消影层；以及具有大于第一折射率的第二折射率且位于第一消影层上的第二消影层，其中第一透明导电图案及第二透明导电图案是由以下方法形成：分别形成第一非晶导电膜及第二非晶导电膜于基板与透明绝缘层上；蚀刻第一非晶导电膜及第二非晶导电膜以形成第一非晶导电图案及第二非晶导电图案；以及结晶化第一非晶导电图案及第二非晶导电图案以形成第一透明导电图案及第二透明导电图案。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电图案 非晶 消影层 导电图案 导电膜 折射率 基板 透明导电体 透明绝缘层 蚀刻 结晶化 制造 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电体结构，其特征在于，所述的结构包含：基板；第一透明导电图案，位于所述的基板上；第二透明导电图案，位于所述的第一透明导电图案上；透明绝缘层，位于所述的第一透明导电图案及所述的第二透明导电图案之间以使所述的第一透明导电图案与所述的第二透明导电图案彼此绝缘；以及消影层，覆盖所述的第一透明导电图案与所述的第二透明导电图案，该消影层包含：第一消影层，具有第一折射率且直接位于所述的第二透明导电图案上；以及第二消影层，具有大于所述的第一折射率的第二折射率且位于所述的第一消影层上，其中所述的第一透明导电图案及所述的第二透明导电图案是由以下方法形成：分别形成第一非晶导电膜及第二非晶导电膜于所述的基板与所述的透明绝缘层上；蚀刻所述的第一非晶导电膜及所述的第二非晶导电膜以形成第一非晶导电图案及第二非晶导电图案；以及结晶化所述的第一非晶导电图案及所述的第二非晶导电图案以形成所述的第一透明导电图案及所述的第二透明导电图案。
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