[发明专利]一种发光二极管及其制备方法

摘要

本申请公开了一种发光二极管及其制备方法，发光二极管将传统结构中多量子阱层的最后一层量子垒层和电子阻挡层替换为包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层的超晶格结构，该超晶格结构减少了最后一层量子垒层的极化电场强度，增加了其电子空穴波函数交迭程度，有利于其辐射复合发光，并且超晶格结构不仅降低了发光二极管的制备难度，而且使得生长高质量的超晶格结构和第二型接触层成为可能。另外，超晶格结构的存在还使得整个第二型结构层的导带电子势垒高度进一步提升，大大减少了电子泄露，同时降低了价带空穴的势垒高度，促进了空穴的传输，极大提升了多量子阱层的内量子效率，减少效率骤降，大幅提升了发光二极管的整体发光功率。

主权项

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底表面依次堆叠的缓冲层、第一型电流扩展层、多量子阱层和第二型接触层；其中，所述多量子阱层包括多个堆叠设置的量子周期层和位于多个量子周期层背离衬底一侧的超晶格结构，所述量子周期层包括量子垒层和位于所述量子垒层背离所述衬底一侧的量子阱层，所述第二型接触层位于与所述衬底距离最大的量子阱层背离衬底一侧表面；所述超晶格结构包括多个第一类超晶格层和多个第二类超晶格层，所述第一类超晶格层和第二类超晶格层交替堆叠设置，从衬底开始由下往上排列的多个第一类超晶格层中的铝组分依次排列，构成第一数组，所述第一数组中的元素呈先增加后减小的排布方式。