[发明专利]一种掺杂型阻变存储器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810039740.4 | 申请日： | 2018-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108110138A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李钦;胡浩威 | 申请（专利权）人： | 安徽建筑大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 安徽深蓝律师事务所 34133 | 代理人： | 汪锋 |
| 地址： | 230601 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器件及其制备方法，属于微电子制造技术及存储器件技术领域，公开了一种掺杂型阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器结构包括：顶电极、底电极以及包含在两端电极之间的Ru掺杂的InmGanZnkO阻变存储层。本发明的阻变存储器件的电极采用磁控溅射或电子束蒸发方式制备，阻变存储层采用磁控共溅射的方式制备。该阻变存储器件具有工艺过程简单、制造成本低、存储窗口大、循环性能稳定等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变存储器件 制备 阻变存储层 存储器件 掺杂型 微电子制造技术 阻变存储器结构 磁控共溅射 电子束蒸发 磁控溅射 存储窗口 工艺过程 两端电极 循环性能 制造成本 掺杂的 底电极 顶电极 电极 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂型阻变存储器件，其特征在于：该阻变存储器件具有三层夹层式结构，分别为顶电极、底电极及一种掺杂型阻变存储层，所述掺杂型阻变存储层为Ru掺杂的Inm Gan Znk O氧化层，所述掺杂型阻变存储层中Ru元素的原子含量为0.1％～3％。
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