[发明专利]一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池在审
| 申请号： | 201810027467.3 | 申请日： | 2018-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108054223A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈达明;高纪凡;刘成法;陈奕峰;王子港;张学玲;杨阳 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，包括：P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；共晶层，设置于局域背场上；介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；金属正电极，设置在局域背场上；金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上。本发明为采用以P型晶体硅作为衬底，结合钝化接触技术制备得到全背电极太阳能电池，大大提升了P型晶体硅也在全背电极太阳能电池技术方面的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钝化 接触 技术 电极 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种基于钝化接触技术的全背电极太阳能电池，其特征在于，包括：P型硅基体，该P型硅基体的背表面具有金属接触区域和非金属接触区域；隧穿氧化层，设置于所述P型硅基体背表面的非金属接触区域上；局域背场，设置于所述P型硅基体背表面的金属接触区域上；多晶硅薄膜层，设置于所述隧穿氧化层上；共晶层，设置于局域背场上；介质膜钝化层，设置在所述多晶硅薄膜层以及非金属接触区域上；金属正电极，设置在局域背场上；金属负电极，设置在多晶硅薄膜层上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司，未经天合光能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810027467.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种聚合物锂电池
- 下一篇：一种实现拖影特效的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
