[发明专利]基于气体注入增强磁扰动抑制逃逸电流的方法及装置在审
| 申请号： | 201810023962.7 | 申请日： | 2018-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN108288509A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陈忠勇;冯威;杨琨 | 申请（专利权）人： | 成都大学 |
| 主分类号： | G21B1/11 | 分类号： | G21B1/11;G21B1/05 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610000 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于气体注入增强磁扰动抑制逃逸电流的方法及装置，该方法包括在托卡马克真空室上安装气体注入装置；将需要注入的气体预先装载到气体注入装置中；将气体注入装置的开关阀触发控制端连接到托卡马克中央控制系统；在等离子体稳定运行时，托卡马克中央控制系统不触发开关阀，气体注入装置不开启；在等离子体即将破裂时，托卡马克中央控制系统触发开关阀开启气体注入装置，气体注入装置向等离子体内注入气体。气体注入装置包括气体存储部件、开关阀及注入管口。本发明在等离体子要发生破裂时向等离子体注入气体，进入等离子体内的气体使等离子体局部电流扰动引起磁场扰动，从而抑制逃逸电流的形成，避免逃逸流对装置的损害。 | ||
| 搜索关键词： | 气体注入装置 托卡 等离子体 中央控制系统 触发开关 注入气体 磁扰动 等离子 开关阀 破裂 体内 等离子体稳定 触发控制端 磁场扰动 局部电流 气体存储 阀开启 运行时 真空室 注入管 扰动 装载 损害 | ||
【主权项】：
1.基于气体注入增强磁扰动抑制逃逸电流的方法，其特征在于：包括：在托卡马克真空室上安装气体注入装置，使气体注入装置尽可能靠近等离子体，所述气体注入装置具有开关阀；将需要注入的气体预先装载到气体注入装置中；将气体注入装置的开关阀触发控制端连接到托卡马克中央控制系统；在破裂预警系统监测到等离子体稳定运行时，托卡马克中央控制系统不触发开关阀，气体注入装置不开启；在破裂预警系统监测到等离子体即将破裂时，托卡马克中央控制系统触发开关阀开启气体注入装置，气体注入装置向等离子体内注入气体。
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